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规格书 |
NTMFS4946N |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 1,500 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 30V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 12.7A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 3.4 mOhm @ 30A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 2.5V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 53nC @ 11.5V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 3250pF @ 12V |
功率 - 最大 | 890mW |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | 8-TDFN Exposed Pad (5 Lead) |
供应商器件封装 | 6-DFN, 8-SO Flat Lead (5x6) |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
包装 | 6SO-8 FL |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 30 V |
最大连续漏极电流 | 32.8 A |
RDS -于 | 3.4@11.5V mOhm |
最大门源电压 | ±20 V |
典型导通延迟时间 | 18.9 ns |
典型上升时间 | 34 ns |
典型关闭延迟时间 | 24.6 ns |
典型下降时间 | 9.4 ns |
工作温度 | -55 to 150 °C |
安装 | Surface Mount |
标准包装 | Tape & Reel |
最大门源电压 | ±20 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
标准包装名称 | DFN |
最低工作温度 | -55 |
渠道类型 | N |
封装 | Tape and Reel |
最大漏源电阻 | 3.4@11.5V |
最大漏源电压 | 30 |
每个芯片的元件数 | 1 |
供应商封装形式 | SO-FL |
最大功率耗散 | 5900 |
最大连续漏极电流 | 32.8 |
引脚数 | 8 |
铅形状 | Flat |
FET特点 | Logic Level Gate |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 12.7A (Ta), 100A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 2.5V @ 250µA |
供应商设备封装 | 6-DFN, 8-SO Flat Lead (5x6) |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 3.4 mOhm @ 30A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 890mW |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 3250pF @ 12V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 53nC @ 11.5V |
封装/外壳 | 8-TDFN Exposed Pad (5 Lead) |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
其他名称 | NTMFS4946NT1GOSCT |
安装风格 | SMD/SMT |
晶体管极性 | N-Channel |
源极击穿电压 | +/- 20 V |
连续漏极电流 | 100 A |
RDS(ON) | 5.1 mOhms |
功率耗散 | 2.25 W |
最低工作温度 | - 55 C |
封装/外壳 | SO-8FL |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 150 C |
漏源击穿电压 | 30 V |
RoHS | RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 1500 |
系列 | NTMFS4946N |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
Rds On - Drain-Source Resistance | 5.1 mOhms |
品牌 | ON Semiconductor |
Id - Continuous Drain Current | 100 A |
通道数 | 1 Channel |
Pd - Power Dissipation | 2.25 W |
技术 | Si |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
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